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澳门申博娱乐网 一路走好!“中国功率器件领路人”陈星弼院士去世,享年89岁

2019-12-24 17:53:45 字号: | | 【 打印 】

澳门申博娱乐网 一路走好!“中国功率器件领路人”陈星弼院士去世,享年89岁

澳门申博娱乐网,我国功率半导体领域的领路人、九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效,12月4日17时10分在四川成都逝世,享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海,祖籍浙江浦江,1947年至1952年就读于同济大学电机系,先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院(现电子科技大学)工作。1999年当选为中国科学院院士,2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士(ieee life fellow)。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文,获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家,他的超结发明专利打破传统“硅极限”,被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化,目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。陈星弼曾获得诸多荣誉,包括国家发明奖及科技进步奖2项,省部级奖励13项。2015年获得ieee ispsd颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”,成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选ieee ispsd首届名人堂,成为首位入选名人堂的华人科学家。

陈星弼院士曾在采访中谈到对于科学真理的追求,他说:宇宙很大,人生苦短。人生的目的到底是什么?我认为一个人对人类有一点点贡献,就不愧此生。马克思说过“科学绝不是一种自私自利的享乐。有幸能够致力于科学的人,首先应该拿自己的学识为人类服务”。能够在短促的人生中,以科学服务人类,这就是我此生不倦追求。希望有更多的青年献身科研,成为服务国家科研发展的脊梁。

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来源:综合封面新闻、红星新闻、网友评论